Piezo Ceramic สำหรับ Ultrasond Vibration Equipment หรือ Atomization Sensor
| ขนาด (มิลลิเมตร) | กำลังการผลิต C (pF) | อ่อนแอ | แข็งแรง | เป็นแฉก | reso | ความถี่หนา (KHz) | คามอเตอรคูณ (%) | Quality Factor Qm | |
| Φ10xΦ5x2 | 240 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 153 ± 5% | ≤15 | 1020 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ16xΦ8x4 | 340 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 95.8 ± 5% | ≤20 | 512 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ25xΦ10x4 | 935 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 65.5 ± 5% | ≤15 | 512 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ30xΦ10x5 | 1,150 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 58.4 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ32xΦ15x5 | 1,080 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 49.2 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ35xΦ15x5 | 1,430 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 45.5 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ38xΦ15x5 | 1,750 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 43.4 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥46 | ≥800 | |
| Φ40xΦ15x5 | 1,970 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 42.8 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ42xΦ15x5 | 2,200 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 40 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ42xΦ17x5 | 2,110 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 38.8 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ45xΦ15x5 | 2,580 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 38.1 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥46 | ≥800 | |
| Φ50xΦ17x5 | 3160 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 34.8 ± 5% | ≤15 | 410 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ50xΦ17x6 | 2,430 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 34.8 ± 5% | ≤15 | 315 | ≥45 | ≥800 | |
| Φ50x3 | 5800 ± 10% | ≤0.5% | ≤1.0% | 46 ± 5% | ≤10 | 681 | ≥50 | ≥800 | |
1. เหตุผลที่มีอยู่ของ piezoelectricity?
หน่วยที่จำเป็นซึ่งเป็นกระจุกรูปทรงกลมหรือลูกบาศก์มีอะตอมที่มีอยู่ในโครงสร้างตาข่ายอะตอมบางส่วน ภายในเซลล์กรงมีหน้าที่รับผิดชอบในการถือไอออนกึ่งโมบายเดี่ยวที่มีสถานะควอนตัมมากมาย เมื่อใช้สนามไฟฟ้าหรือบิดเบี้ยวกรง (ความเครียดที่ใช้) สถานะไอออนโพสต์จะเปลี่ยนไป พื้นฐานหรือการเปลี่ยนแปลงสนามไฟฟ้าภายในจะเปลี่ยนจากความเครียดเชิงกลโดยการมีเพศสัมพันธ์ระหว่างกรงและไอออนกลาง
2. สามารถขัดและลอกเลียนวัสดุพั๊โซ ได้รับการอธิบาย?
นักวิจัยจะต้องได้รับสนามไฟฟ้าที่มีขนาดใหญ่เป็นเวลานานในการจัดตำแหน่งของจุลภาคแบบสุ่มในสูตรที่ถูกต้องเนื่องจากองค์ประกอบทางเคมีไม่ได้เป็นเพียงแค่ความรับผิดชอบต่อคุณสมบัติ piezoelectric ของเซรามิค นี้เรียกว่า "ขัด" เนื่องจากการจัดตำแหน่งที่เกิดจากการใช้แรงดันสูง "ความเครียดที่เกิดจากการหลุด" จะเกิดขึ้นกับจุลภาคเนื่องจากการใช้สนามไฟฟ้าในทิศทางตรงกันข้ามหากพยายาม มีเพียงการเปลี่ยนแปลงขั้วโพลาไรซ์ในกรณีที่มีการใช้งานในระดับต่ำเนื่องจากมีการย้อนกลับในการกำจัด นอกจากนี้ยังมีการย่อยสลายของโพลาไรเซชันบางส่วนพร้อมกับการสูญเสียคุณสมบัติบางส่วนเมื่อใช้ทุ่งนาขนาดปานกลาง การทำ polarization ในทิศทางตรงกันข้ามจะเป็นผลถ้ามีการใช้ field สูง
3. มีความเป็นไปได้ในการใช้ actuators piezoceramic ในอุณหภูมิที่เกิดจากการแช่แข็งหรือไม่?
คำตอบคือใช่ ตั้งแต่ต่ำไปจนถึงศูนย์องศาเซลเซียสตัวกระตุ้นอัลตร้าโซนิคจะทำงานต่อไปแม้ว่าจะมีเคาน์เตอร์ที่ใช้งานง่ายก็ตาม เนื่องจากสนามไฟฟ้าไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ตามอุณหภูมิเลยและสนามไฟฟ้าระหว่างอะตอมเป็นพื้นฐานสำหรับผลกระทบของ piezoelectric ส่วนค่า piezooceramics ส่วนใหญ่จะลดลงเนื่องจากมีการควบรวมของ piezo เมื่ออุณหภูมิลดลง ที่สำคัญที่สุดการเคลื่อนไหวของวัสดุส่วนใหญ่ลดลงประมาณหนึ่งในเจ็ดของที่วัดได้ในห้องที่อุณหภูมิฮีเลียมเหลว
1. กระบวนการกำจัดการสั่นสะเทือนผ่าน piezoceramics คืออะไร?
กระบวนการของการยกเลิกการสั่นสะเทือนสามารถทำได้โดยการแนบแผ่นสอง piezoceramic กับพื้นผิวด้านนอกของวัตถุ พวกเขาควรจะอยู่ใกล้กับจุด (ในลำแสง) ที่จำเป็นต้องดัดควบคุมแผ่นแรกจะใช้ในการวัดความเครียดบนพื้นผิว ข้อมูลจากเซ็นเซอร์ความเครียดถูกใส่ลงในกล่องอัจฉริยะ แกดเจ็ตนี้จะควบคุมเครื่องขยายเสียงซึ่งจะส่งผลให้เกิดแผ่นงานที่สองขึ้นเนื่องจากกลไกการชักนำให้เกิดการเคลื่อนไหวจากแผ่นที่สองทำให้เกิดการสั่นสะเทือนในโครงสร้างซึ่งขัดขวางการสั่นสะเทือนอื่น ๆ
2. มีความเป็นไปได้ที่เทคโนโลยี Piezo จะเปลี่ยนเทคโนโลยีแม่เหล็กได้ทุกเมื่อในอนาคตหรือไม่?
ความเป็นไปได้ที่เทคโนโลยี Piezo จะเปลี่ยนเทคโนโลยีแม่เหล็กเป็นไปไม่ได้ เทคโนโลยีแม่เหล็กขึ้นอยู่กับแรงโดยไม่มีการสัมผัสทางกายภาพ ในทางกลับกันเทคโนโลยี Piezo ได้รับมาจากกองกำลังที่มีการสัมผัสโดยตรงจากร่างกายตัวอย่างเช่นตัวกระตุ้นแบบ Piezo มีความสามารถในการทำให้ solenoids ทั้งหมดล้าสมัย อย่างไรก็ตามพวกเขามีน้ำหนักมากขึ้นซึ่งเป็นเหตุผลว่าทำไมจึงเป็นไปไม่ได้อย่างยิ่งที่เทคโนโลยีแม่เหล็กจะถูกลืมไปเนื่องจากเทคโนโลยี Piezo ความสนใจหลักในตัวกระตุ้น Piezo คือเนื่องจากความสามารถในการทำงานของขดลวดโซลีนได้น้อยลง
